현대전자는 차세대 신기술을 적용한 세계 최소형 2백56메가 싱크로너스 D램(이하 SD램)의 상용제품 개발에 성공했다고 30일 발표했다.

이 제품은 회로선폭 0.14미크론(1미크론=1백만분의 1미터)급의 미세 가공기술을 세계 처음으로 적용한 것으로 데이터 처리속도 1백66 로 빠르다고 회사측은 설명했다.

특히 금속 게이트를 적용하여 동작속도를 개선하면서도 회로선폭을 줄일 수 있었으며 탄탈륨 산화막을 유전막으로 사용하여 전하 저장능력을 획기적으로 향상시켜 완벽한 메모리 셀 특성을 갖춘게 특징이다.

이 회사가 지난해말 개발한 2세대 2백56M SD램에 비해 칩 크기가 20%정도 작으며, 차세대 신기술을 다수 채용하여 제품의 신뢰성을 높인 경쟁력있는 제품이라고 덧붙였다.

2백56메가 싱크로너스 D램은 칩 하나에 신문지 2천장 분량 또는 2백자 원고지 8만4천장에 해당하는 데이터를 저장할 수 있다.

이 회사 관계자는 "현재 시판중인 미국 인텔사의 모든 CPU 제품은 물론,워크스테이션 및 개인용 컴퓨터 모두에 채용이 가능하다"고 말했다.

현대전자는 이미 양산중인 0.18미크론급 2백56메가 SD램 및 생산을 개시한 0.15미크론급 2백56메가 SD램을 포함한 다양한 제품군을 보유하게 됨으로써,반도체 시장의 다양한 수요에 적극적으로 대처할 수 있게 됐다.

더욱이 앞으로 기가급 D램의 상용화를 위한 차세대 신기술을 과감히 적용,미래 반도체 시장을 주도할 수 있을 것으로 회사측은 기대했다.

현대전자는 이번 0.14미크론급 2백56메가 SD램 제품 샘플을 오는 2.4분기중 해외 컴퓨터 제조 업체들에 제공할 예정이며,이를 위해 현재 생산시설 투자를 본격적으로 진행중에 있다.

이익원 기자 iklee@ked.co.kr