[산업II면톱] 삼성전자, 웨이퍼 신가공기술 개발

삼성전자는 차세대 반도체 웨이퍼 가공기술로 평가되고있는 원자층
증착기술을 세계 처음 개발했다고 19일 발표했다.

삼성은 이번 기술 개발로 2백56메가 D램과 1기가 D램의 설비투자비와
제조원가를 크게 낮출 수있을 것으로 보고있다.

삼성이 개발한 원자층 증착기술(ADL: Atomic layer deposition)은
데이타를 저장시키는 캐패시터(Capacity)의 소자표면에 사파이어박막이라
불리는 원자층을 한층씩 쌓아올리는 웨이퍼 가공 기술이다.

원자층을 쌓아올리기 때문에 분자층을 얇게 입히는 기존 기술에 비해
반도체를 고집적화시킬 수있다.

공정수가 적어 수율도 높아진다고 삼성은 설명했다.

일본과 미국업체들도 2백56메가 D램및 1기가 D램의 양산에 대비, 새로운
기술을 개발중이나 원자층 증착기술이 아니라 분자층증착방식의 하나인
탄탈륨산화막 기술이다.

삼성은 원자층 증착기술을 사용하면 탄탈륨산화막 기술에 비해 생산라인당
2천만달러의 투자비를 절감할 수있고 제조원가도 30%가량 낮출 수있다고
덧붙였다.

삼성은 이 기술을 회로선폭 0.18미크론m(1미크론m은 1백만분의 1m)의
2백56메가 D램 시험생산 공정에 적용해본 결과 초기단계부터 64메가
D램과 같은 수준의 수율을 나타냈다고 밝혔다.

삼성은 이번 기술과 관련된 10여건의 세부기술을 미국, 일본등에 특허
출원했다.

삼성전자 반도체 연구소의 황창규전무는 "이번 기술 개발로 기가급
메모리반도체는 물론 초고속 정보처리가 요구되는 CPU, 복합칩, F램등
차세대 신개념의 반도체에도 기술적 우위를 확고히 하게 됐다"고 말했다.

< 박주병 기자 jbpark@ >

( 한 국 경 제 신 문 1998년 11월 20일자 ).