[산업I면톱] 현대전자, 1기가 싱크로D램 개발 .. 업계 처음

현대전자가 차세대반도체소자인 실리콘2중막 웨이퍼(SOI)를 이용한
1기가 싱크로너스D램을 개발했다.

현대전자 김영환 사장은 12일 기자간담회를 갖고 22개월동안 1백70명의
연구인력과 5백50억원의 연구비를 투입, SOI를 이용한 1기가 싱크로너스D램을
반도체업계 최초로 개발했다고 발표했다.

SOI는 실리콘절연막위에 다시 실리콘박막을 형성시킨 웨이퍼로 이를
이용한 반도체는 정보처리속도가 빠르고 전력소비가 적은 특징이 있으나
기술적인 난점때문에 그동안 메모리반도체에는 사용하지 못했다.

이번에 현대가 개발한 1기가D램은 정보처리속도가 5나노초(1나노는
10억분의 1)로 일반 1기가D램에 비해 20% 빠르고 사용전압도 1.8~2.2V로
일반제품의 2.2~2.5V보다 낮다.

따라서 컴퓨터 정보통신기기의 고속화및 저전력화에 기여할수 있어
컴퓨터와 고성능워크스테이션 디지털TV 위성통신등에 쓰일 것으로
예상되고 있다.

반도체 크기는 6백90평방mm로 성냥갑의 3분의 1수준이며 하나의 칩속에
신문지 8천장분량의 정보를 저장할수 있다.

현대는 1기가D램의 시장이 본격 형성되는 2003년에 양산에 나설
계획이다.

<김낙훈 기자>

(한국경제신문 1997년 5월 13일자).