삼성전자는 전력용반도체를 집중 육성,오는 2002년 이 부문에서만 12억
달러(1천억원)의 매출을 달성키로 했다고 27일 발표했다.

삼성은 또 비메모리 반도체를 담당하는 시스템LSI사업부의 주력사업으로
전력용반도체를 선정,이부문을 앞으로 5년내에 세계 10위권내로 육성한다는
"탑 10전략"도 같이 추진하기로 했다.

삼성은 이같은 목표를 달성하기 위해 실리콘 직접 결합방식(SDB)을 채용
한 4세대급 절연양극트랜지스터(IGBT)를 개발했다.

IGBT는 고속.고내압 양극기술 장점을 결합해 낮은 손실과 빠른 스피드를
특징으로 하는 전력용반도체다.

특히 삼성이 개발한 1200v급 IGBT는 실리콘 직접 결합방식을 이용,포화
전압 2.0v이하 수준을 달성했다.

삼성은 또 IGBT와 함께 모스펫 전력용트랜지스터 파워트랜지스터 모터
IC 등 5대 제품군을 전력용반도체의 주력제품으로 선정,경영자원과 기술력
을 집중시키기로 했다.

<이의철기자>

(한국경제신문 1997년 3월 28일자).