LG반도체(대표 문정환)가 서울대와 공동으로 차세대 반도체인 테라비트급
반도체 개발에 나섰다.

LG반도체는 31일 서울대와 테라비트급이상의 반도체 기술개발협약을 체결했
다고 밝혔다.

1테라비트 반도체는 지금까지 개발된 1기가비트보다 1천배 집적된 기억용량
을 가진 반도체로 신문용지 8백만페이지의 정보를 기억할수 있다.

LG반도체는 기술개발을 위해 1백50억원을 투자, 서울대에 11월중 초미세소
자기술연구소 설립을 지원키로 했으며 2002년까지 테라급 신소재를 개발키로
했다.

기술연구소는 서울대 화공과 이홍희교수를 대표로 전기 전자 물리 화공 재
료분야의 공대교수 7명과 대학원생 LG반도체 연구원등 50여명의 연구원이 참
가한다.

D램반도체는 기억용량이 4배 확대될때마다 셀의 크기는 3분의 1, 칩크기는
1.5배가 되는데 기존의 소자구조를 그대로 유지할 경우 4기가나 16기가비트
D램 이상의 집적도향상은 어렵게 된다.

전자의 이동거리가 너무 좁아져 난반사등 불규칙운동을 일으키며 이에따라
기억소자구조는 기능을 잃게 된다.

따라서 테라비트급 반도체는 초미세공간에서도 전자에 방향성을 줄수 있는
신개념의 소자로 만들어져야해 차세대 반도체로 불린다.

그동안 테라비트급 반도체개발은 미국 코넬대 MIT대등의 일부교수에 의해
산발적으로 진행되고 있으며 일본 히타치사가 5명정도의 연구팀을 구성하고
있으나 연구소 형태로 집중 개발에 나서는 것은 이번이 처음이라고 LG측은
밝혔다.

<김낙훈기자>

(한국경제신문 1996년 11월 1일자).