반도체업체들이 적층성장웨이퍼(일반 실리콘웨이퍼에 단결정 박막을
적층.성장시킨 것)의 사용이 늘어남에 따라 관련설비를 대대적으로
확충하고 있다.

10일 업계에 따르면 삼성전자 한국전자 현대전자 등 반도체업체들은
그간 일반 마이크로 제품과 바이폴라IC(집적회로) 등에 한정되온
적층성장웨이퍼의 사용을 <>주문형반도체(ASIC)<>고속 S램 등 메모리제품
분야로 확대키로 하고 설비 증설에 나섰다.

올초 온양공장에 적층성장웨이퍼의 라인을 구축한 삼성전자는 최근
핵심설비인 리액터를 18대 규모로 크게 보강했다.

삼성은 고속 S램 등 메모리분야에도 채용을 확대하기 위해 6인치 이상의
대구경 적층성장웨이퍼도 개발중이다.

현재 구미공장에서 생산되는 파워트랜지스터와 바이폴라IC의 60%이상에
적층성장웨이퍼를 사용중인 한국전자는 현재 4대의 리액터설비를 내년초까지
8대로 증설할 계획이다.

현대전자도 고속메모리와 주문형반도체제품의 생산효율면에서 적층성장
웨이퍼의 채용이 필요하다고 판단, 빠르면 올해안으로 라인을 구축할
방침이다.

반도체업체들이 이같이 설비를 확충하고 있는 것은 주수요처인 마이크로
제품 시장이 계속 확대되고 있고 뛰어난 전기적 특성과 생산성으로 적층성장
웨이퍼의 채용이 늘어나고 있는 데 따른 것으로 풀이된다.

(한국경제신문 1995년 11월 11일자).