국내 반도체업계, 차세대 반도체 플래시메모리양산시대 진입

국내 반도체 업계는 올하반기부터 D램과 S램의 장점만을 합쳐 만든 차세대
반도체 플래시메모리양산시대에 본격진입한다.

2일 현대전자는 올 상반기중 경기도 이천 제2연구소에서 4메가플래시메모리
시험생산에 들어간 뒤 하반기부터 연산 10만개규모로 양산할 계획이라고밝혔
다.

이 회사는 플래시메모리 생산기술을 개발하기 위해 미국에 세운 R&D(연구개
발)연구법인인 BMI사가 최근 기본기술 개발을 완료함에 따라 양산체제를 구
축하게 됐다고 설명했다.

삼성전자는 지난해 10월부터 연산 10만개 규모로 생산하고 있는 16메가
플래시메모리반도체를 올 하반기중 연산 12만개로 확대하기로 했다.

LG반도체도 빠르면 올해 말에 플래시메모리반도체를 시험생산한다는 계획
이다.

플래시메모리 반도체는 <>정보전달속도가 빠른 대신 출력만 가능한 D램과
<>입출력을 모두 할 수 있지만 정보전달속도가 늦은 S램이 갖고 있는 장점을
합한 메모리반도체다.

이 제품은 특히 대용량의 정보를 빠른 시간에 처리할 수 있어 컴퓨터 하드
디스크 드라이브를 중심으로 기존 D램을 빠르게 대체해 나갈 전망이다.

플래시메모리의 지난해 세계시장수요는 1억6천만개에 달했으며 오는 96년
에는3억4천만개 98년에는 6억6천만개에 이를것으로 보여 연평균 55%씩늘어
날 전망이다.

(한국경제신문 1995년 2월 3일자).