[특허정보] 반도체소자 접속장치 ; 고온초전도박막 형성방법
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<>.반도체 소자의 접속장치및 제조방법 (1282 현대전자)
다층구조로 형성된 고집적 반도체소자의 접속장치및 제조방법을 효율적
으로 처리한 발명.
상부의 폴리실리콘층을 하부의 실리콘기판에 접속하는 기술에서 콘택홈을
형성하지 않고 절연층을 도체화시켜 폴리실리콘층을 실리콘기판에 전기적
으로 접속토록 한 반도체소자의 접속장치.
<>.고온초전도박막의 미세패턴 형성방법 (1295 전자통신연구소)
고온초전도체의 특성을 열화시키지 않으면서 고온초전도 박막상에 미세
패턴을 형성시키는 고안.
기판과 고온초전도 박막사이에 유전체 완충박막을 끼워넣은 다층박막을
구성, 증착과정에서 생기는 초전도성의 열화를 피하도록 했다.
따라서 결함이 적은 고온초전도체 미세패턴의 형성이 가능해 매우 작은
반도체, 초전도체 혼성소자를 만들수 있다는 것.
다층구조로 형성된 고집적 반도체소자의 접속장치및 제조방법을 효율적
으로 처리한 발명.
상부의 폴리실리콘층을 하부의 실리콘기판에 접속하는 기술에서 콘택홈을
형성하지 않고 절연층을 도체화시켜 폴리실리콘층을 실리콘기판에 전기적
으로 접속토록 한 반도체소자의 접속장치.
<>.고온초전도박막의 미세패턴 형성방법 (1295 전자통신연구소)
고온초전도체의 특성을 열화시키지 않으면서 고온초전도 박막상에 미세
패턴을 형성시키는 고안.
기판과 고온초전도 박막사이에 유전체 완충박막을 끼워넣은 다층박막을
구성, 증착과정에서 생기는 초전도성의 열화를 피하도록 했다.
따라서 결함이 적은 고온초전도체 미세패턴의 형성이 가능해 매우 작은
반도체, 초전도체 혼성소자를 만들수 있다는 것.