기가헤르츠대(1기가헤르츠=10억헤르츠)의 초고주파대역에서 전력증폭기능을
수행하는 갈륨비소(GaAs)소자가 국내 대학연구팀에 의해 개발됐다.

3일 동국대 이진구교수팀(전자공학과)은 지난 91년부터 한국과학재단의 지
원을 받아 6기가헤르츠에서도 전력증폭기능을 하는 갈륨비소소자를 개발했다
고 밝혔다.
이번에 개발된 갈륨비소소자는 실리콘을 원료로 한 소자보다 높은 주파수대
역에서 전력증폭기능을 수행 할 수 있는게 특징으로 초고주파를 이용하는 위
성통신시스템의 핵심부품으로 쓰일수 있다.

이교수팀은 현재 쓰이고 있는 증폭용 실리콘전력소자의 경우 1기가헤르츠미
만대의 주파수대역에서만 사용할 수 있어 이동통신기기용에 한정돼 쓰인다고
말했다.