결정결함을 최소화한 실리콘단결정박막을 섭씨 영상 6백도의 온도에서도
실리콘웨이퍼에 입힐수 있는 기술이 대학연구진에 의해 개발됐다.

지금까지는 실리콘웨이퍼에 실리콘단결정박막을 입히려면 평균 1천2백도의
고온이 필요해 불순물이 섞이는등의 문제점이 있었다.

26일 서울대 반도체공동연구소(소장황기웅교수)는 10의 마이너스 9승
torr(1기압=7백60torr)의 초고진공상태를 만든뒤 전자공명법으로
플라즈마를 형성,전위(유기화합물의 한분자안에서 두개의 원자가 서로
위치를 바꾸는일)등의 결정결함을 최소화한 실리콘단결정박막을
실리콘웨이퍼에 증착하는 기술을 확보했다고 밝혔다.

연구소는 지난해초 2년여의 연구끝에 전자공명법에의한 화학증착장치를
개발한데 이어 이번에 압력 온도 원료가스의유량등 최적의 공정기술을
확보하게 됐다고 말했다.

이기술은 우선 초고진공의 청정상태를 만든 다음 SiH 란 원료가스를
주입하고 여기에 마이크로웨이브를 쏴 플라즈마상태를 만들어 원료가스를
분해한뒤 실리콘원자가 실리콘웨이퍼표면에 달라붙도록 하고있다.

연구소는 이기술확보가 실리콘웨이퍼에 결함이 적은 박막을 입혀 기능이
뛰어난 소자를 만들수있도록 한데 의미가 있다고 설명했다.

윤의준교수(무기재료공학과)는 "이번의 성과를 토대로 Si(실리콘)와
Ge(게르마늄)를 적정비율로 실리콘웨이퍼에 입히는 기술을 개발중"이라며
이기술이 개발되면 기존소자보다 동작속도가 5배 빠른 소자를 만들수 있게
된다고 말했다.

<오광진기자>