산업 삼성전자 초저전력 4Mb Fast S램 개발 입력2006.04.02 06:07 수정20060409150 세계 최저의 동작전류 80mA, 전력소모 극소화gks 삼성전자, 초저전력 4Mb Fast S램 개발 / (서울=연합뉴스) Facebook email