< 성장기업면 톱 > 중소기업 대중국 소규모투자 늘어

금성전선(대표 박원근)이 광소자용 갈륨비소(GaAs)웨이퍼를 개발, 양산체제에 나섰다. 금성은 3일 옥외전광판용발광다이오드및 리모트컨트롤 포토커플로용적외선발광소자등에 사용되는 광소자용원형갈륨비소웨이퍼를 순수자체기술로 개발했다고 발표했다. 금성이 개발한 갈륨비소웨이퍼는 미국 일본에 이어 세계세번째로MVGF(Modified Vertical Gradient Freeze)법을 채택,기존의 LEC(Liquid En-casulated Czochralski)법에 비해 결함밀도가 5천 이하로 낮고HB(Horizontal Bridgman)법보다 생산성과 품질의 균일성을 높여 생산수율을크게 향상시킬수있는것이 특징이다. MVGF공법은 결정을 키운후 수평으로 잘라 웨이퍼를 만드는 것으로 단결정의 성장면과 웨이퍼의 면을 일치시킬수 있으며 결함밀도가 작은 고품위반절연웨이퍼의 생산도 가능해 위성통신 이동전화기의 품질을 높여줄수있다. 금성은 이번 광소자용원형갈륨비소웨이퍼의 자체개발로 약70억원상당의수입대체효과를 기대하고 있으며 국내관계업체공급과 함께 해외수출을 위해웨이퍼인증시험을 의뢰중에 있다. 또 2인치갈륨비소웨이퍼의 개발을 계기로 대구경(3인치)광소자및전자소자용웨이퍼개발을 적극 추진키로했다. 차세대반도체로 주목받고 있는 갈륨비소반도체는 기존의 실리콘반도체보다6배정도 초고속정보처리능력을 갖고 있어 군사용전자장비 위성통신에제한적으로 사용됐으나 최근 정보화진전과 함께 이동통신기기등 민수용으로그수요가 국내외에서 폭발적으로 증가하고 있는 추세에 있다.