금성사, 새 IC제조기술 개발...국내처음

금성사(대표 구자학)는 최근 선형 반도체 제조공정에 한층 고도화된 적용기술을 도입하여 각종 바이폴라 리니어 IC의 고집적/고수율/고속도/저소비전력의 특성을 향상시킨 새로운 바이폴라 리니어 IC제조공정기술을 국내 최초로개발했다. 금성중앙연구소 전영권박사팀(반도체연구소)이 개발한 이 공정은 기존의 방법과는 달리 개별소자간 격리를 위해 Up-Down Isolation을 적용하고 종래의불순물 주입법인 확산공정이 이온 주입법으로 대체됨에 따라 열공정을 축소하여 각 소자간의 수직/수평면의 폭을 줄여 Cell의 크기를 종래에 비해 36-50%정도 감소시킬수 있게 되었다. 또한 이 공정은 Cell의 크기가 작아짐에 따라 내전압 특성이 감소되는 단점을 보완하여 내전압 특성을 종전과 같이 15V정도로 유지하고 동작 주파수는2배이상 향상된 1.5GHz까지 확장해 고속의 신호처리는 물론 노이즈도 대폭 제거했으며 고집적화를 통해 다양한 기능을 수행하는 1칩화가 실현되어 세트 제품 신뢰도 향상에도 크게 기여하게 되었다.