삼성전자는 올해 R&D(연구개발)에만 정확히 2조원을 투자했다. 설비 투자는 올초 7조3천억원에서 두차례의 수정작업을 거쳐 4조4천억원으로까지 3조원 가량 줄였지만 R&D 투자는 지난해 수준을 그대로 유지했다. 삼성전자는 지난 98년 1조7천억원,99년 1조6천억원, 지난해 2조원 등 R&D분야 투자를 줄이지 않고 있다. 기술인력 확보에도 전사적 역량을 집중하고 있다. 현재 삼성전자의 R&D 인력은 테크놀로지 제조기술 7천여명을 포함,총 1만9천명. 전체 인원의 40%가 기술개발 인력이다. 이러한 기술투자 덕분에 올해 삼성전자는 '1기가 플래시 메모리 상용화, 2백56메가 램버스 D램 양산, 세계 최초 4기가 D램 개발, 40인치 TFT-LCD(초박막액정표시장치) 개발' 등 굵직굵직한 기술개발 건을 연이어 터뜨릴 수 있었다. 특히 4기가 D램 시제품 개발은 D램 경기침체 상황과 맞물려 경쟁 기업과의 기술 격차를 확연히 입증한 사례로 평가된다. 차세대 핵심 원천기술을 확보함으로써 0.10미크론 등 공정기술과 다양한 설계기술이 총 망라돼 있다. 특히 0.10미크론 기술은 미국의 인텔이나 마이크로테크놀로지도 확보하지 못한 최첨단 기술. 삼성은 4기가 D램을 양산할 시점에 맞춰 0.09미크론 등 미세가공기술의 개발에 주력한다는 방침이다. 삼성전자 관계자는 "반도체를 둘러싼 시장과 기술환경은 항상 급변하게 마련"이라며 "경기 상황에 관계 없이 항상 차세대 제품을 준비해야만 세계 1위의 자리를 지킬 수 있다"고 말했다. 이심기 기자 sglee@hankyung.com