차세대 메모리 반도체로 떠오르고 있는 F램의 성능을 획기적으로 향상시킬
수 있는 핵심 물질이 서울대학교 연구진에 의해 독자 개발됐다.

서울대 노태원(42.물리학) 교수가 이끄는 전이금속 산화물연구팀은 13일
F램에 응용할 수 있는 새로운 강유전체 물질 개발에 성공했다고 발표했다.

특히 이 물질 개발과정을 정리한 논문은 영국의 세계적인 기초과학저널인
네이처지에 주요논문으로 선정돼 권위있는 관련학계 학자의 리뷰논문과
함께 14일자에 실려 주목을 받고 있다.

이로써 세계 반도체시장 점유율은 높지만 원천기술이 부족해 반쪽짜리
반도체국가에 머물렀던 한국이 명실상부한 반도체 강국으로 도약할 수 있는
계기가 마련됐다.

노교수는 "비스무스란타늄타이타늄산화물(BLT)로 이름붙인 이 물질은 기존
F램 제작에 쓰이는 물질들이 지닌 단점들을 개선한 것으로 앞으로 F램
반도체산업을 한 단계 끌어올릴 것으로 기대된다"고 말했다.

이 물질은 지금까지 국내외 F램 산업발전에 최대 걸림돌이 됐던 PZT계열과
SBT계열의 소재가 지닌 한계를 극복할 수 있다.

이들 기존 소재는 반복적으로 정보를 읽고 쓰면 성능이 저하되는
"피로현상"을 보이고 공정온도가 너무 높아 제조에 오랜 시간이 걸리며
생산원가가 높은 문제점들이 있다.

F램은 기존 D램과 S램, 플래시메모리 등이 갖는 장점을 모두 갖춘 차세대
반도체로 기억용량이 크고 정보처리 속도가 빠르며 전원이 꺼져도 데이터를
저장할 수 있는 특징이 있다.

현재 2백56K급 제품이 실용화된 단계로 게임기 등에 일부 사용되고 있으나
앞으로 모든 디지털 제품의 핵심 반도체 칩으로 응용할 수 있을 것으로
기대되고 있다.

이에따라 세계 반도체 기업들은 대용량 F램 개발및 제조단가를 낮추기
위해 적극적인 연구에 나서고 있다.

< 김태완 기자 twkim@ >

( 한 국 경 제 신 문 1999년 10월 14일자 ).