“고대역폭플래시(HBF)는 기존 고대역폭메모리(HBM)보다 대역폭은 절반 수준이지만 용량은 열 배 이상으로 늘릴 수 있습니다. 급증하는 인공지능(AI) 추론 수요에 따른 메모리 데이터 이동 병목을 극복하겠습니다.”

안현 SK하이닉스 개발총괄(CDO·사장)은 14일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘반도체대전(SEDEX) 2026’ 기조 강연에서 HBM의 한계를 극복할 차세대 AI 메모리 솔루션으로 HBF와 3D 적층 D램을 제시했다. 안 사장은 “AI 인프라 성능 규모가 2026년을 1로 봤을 때 2030년에는 20배까지 확대될 것”이라며 “추론 서비스 요청량이 연간 7배씩 늘어나는 상황에서 메모리가 부품 그 자체에 머물지 않고 새로운 계층을 구축해 병목을 해결해야 한다”고 강조했다.

HBF는 D램 대신 낸드플래시를 수직으로 쌓고 실리콘관통전극(TSV)으로 연결하는 차세대 메모리다. 낸드는 D램보다 응답 속도가 느리고 쓰기 수명에 제약이 있지만, AI 추론에선 데이터 읽기 작업량이 쓰기보다 수십만 배 많다.

SK하이닉스는 데이터를 미리 가져오는 ‘프리페치’ 기술을 적용해 낸드의 속도 한계를 보완했다. 내년 1월 최종 기술 규격을 마련해 생태계를 구축한다는 구상이다.

SK하이닉스가 또 다른 핵심 카드로 제시한 3D 적층 D램은 그래픽처리장치(GPU)나 신경망처리장치(NPU) 위에 D램을 직접 쌓는다. 기존 HBM에 비해 데이터 이동 거리가 줄어든다는 장점이 있다.

한편 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 차세대 서버용 D램 기술인 ‘4F(포에프스퀘어)’ 적용을 예고한 가운데 삼성전자도 해당 기술을 개발하고 있다고 밝혔다. 송재혁 삼성전자 최고기술책임자(CTO·사장)는 이날 기술 개발 진행 상황에 대해 “열심히 하고 있다”고 말했다. 4F²는 D램 셀 하나가 차지하는 면적을 나타내는 단위로, 기존 6F²구조보다 셀 면적을 약 3분의 1 줄일 수 있는 차세대 기술이다.

노유정/원종환 기자 yjroh@hankyung.com