삼성전자가 경기 평택 반도체 공장에 최첨단 패키징의 ‘끝판왕’으로 불리는 하이브리드 본딩 라인을 세운다. 반도체를 ‘범프’(가교 역할을 하는 부품) 없이 바로 붙여 쌓는 하이브리드 본딩을 적용하면 칩 두께가 얇아지고 전송 속도도 대폭 빨라진다. 삼성은 연내 하이브리드 본딩을 차세대 낸드플래시에 적용한 뒤 고대역폭메모리(HBM), 파운드리(반도체 수탁생산) 등으로 확장할 계획이다.

18일 업계에 따르면 삼성전자는 평택 사업장에 하이브리드 본더를 도입하는 것으로 확인됐다. 올해 양산하는 400단대 10세대(V10) 낸드플래시인 ‘BV 낸드’에 활용하기 위한 것으로 알려졌다. 하이브리드 본딩은 칩과 칩 사이에 범프를 넣어 쌓아 올리는 기존 방식과 달리 범프 없이 적층하는 기술이다. 범프 방식보다 15배 이상 많은 데이터 통로를 배치할 수 있는 데다 에너지 효율도 세 배 이상 높다는 점에서 인공지능(AI) 시대에 필요한 ‘게임 체인저’ 기술로 꼽힌다.

삼성전자가 뛰어든 만큼 이 시장을 주도하는 대만 TSMC와의 경쟁이 본격화할 것이라는 전망이 나온다.

강해령 기자 hr.kang@hankyung.com