사진=마이크론
사진=마이크론
낸드플래시 5위, D램 3위인 미국 마이크론테크놀로지가 지난해 말 업계 최고 단수인 176단 낸드플래시를 가장 먼저 출시한 데 이어 D램 분야에서도 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 기업보다 먼저 차세대 제품을 내놨다.

26일(현지시간) 마이크론은 대만 팹(반도체 공장)에서 10나노급 4세대 D램(1α D램) 대량 출하를 시작했다고 밝혔다. 1α D램은 기존 최상급인 10나노급 3세대(1z) 다음 세대 제품이다.

이로써 마이크론이 반도체 업계 중 처음으로 1α D램을 출하한 업체가 됐다. D램 제조사들은 1세대 제품인 1x 출하 이후 회로 선폭을 줄이며 공정에 따라 2세대(1y), 3세대(1z), 1α 등으로 명명한다. 이번에 마이크론이 출시한 제품은 13~14나노 내외로 알려졌다.

스캇 드보어 마이크론 기술·제품담당 수석부사장은 "4세대 10나노급 D램은 3세대보다 메모리밀도가 40% 향상됐다"며 "미래 제품과 메모리 혁신을 위한 견고한 기반이 될 것"이라고 설명했다.

관심은 마이크론이 D램 점유율 1, 2위인 삼성전자와 SK하이닉스보다 더 빠르게 차세대 제품을 내놓았다는 점이다. 양사는 올해부터 생산 수율이 뛰어난 극자외선(EUV) 공정을 도입해 차세대 D램 생산을 본격화할 계획이다. 반면 마이크론은 기존 불화아르곤(ArF) 공정으로 이번 1a D램을 양산한 것으로 전해졌다.

앞서 마이크론은 지난해 11월 삼성전자와 SK하이닉스의 128단을 제치고 176단 3차원(3D) 낸드플래시 출시 소식을 가장 먼저 전하기도 했다. 낸드플래시는 단수가 높을수록 저장 용량이 높다. 삼성전자는 아직 공식적으로 7세대 V낸드 관련 일정을 밝히지 않았고, SK하이닉스는 같은 해 12월 176단 제품을 개발했지만 제품 생산은 아직이다.

배성수 한경닷컴 기자 baebae@hankyung.com