현대전자는 4세대 64메가 싱크로너스 D램(SD램)을 개발, 다음달부터
양산에 들어간다고 28일 발표했다.

이번에 개발된 제품은 회로선폭이 0.22미크론m(1미크론m은 1백만분의
1m)으로 기존 3세대 제품(회로선폭 0.28미크론m)에 비해 칩 크기가 절반
정도로 작아졌다.

이에따라 웨이퍼 한 장당 생산되는 칩 수(넷다이수)가 4백개로 3세대
(1백90개)보다 2배이상 많다.

현대전자는 다음달부터 월 1백만개 규모로 양산하고 장비가 적응되는
내년에는 월 4백만-4백50만개로 생산량을 늘릴 것이라고 밝혔다.

또 내년 하반기에는 0.18미크론m의 회로선폭의 5세대 64메가 SD램도
생산할 계획이라고 덧붙였다.

현대전자 관계자는 "이번에 양산하는 4세대 64메가 SD램은 정품이
나오는 비율(수율)이 우수해 후공정까지 거친 완성품 생산수가 업계
최고"라고 설명했다.

4세대 64메가 SD램은 기존 3세대 제품에 비해 원가가 낮을뿐 아니라
속도도 30%정도 빨라 PC-100용에 주로 사용되고 있다.

또 저전압회로로 절전효과가 있어 데스크톱PC, 워크스테이션은 물론
노트북PC에도 적합하다고 현대는 밝혔다.

세계 주요 반도체업체들은 수요가 늘고 있는 4세대 64메가 SD램을
올들어 경쟁적으로 개발하고 있다.

국내에서는 삼성전자가 지난 6월부터 0.25미크론m급의 4세대 64메가
D램을, LG반도체는 지난 9월부터 0.23미크론m급의 4세대 64메가 SD램을
각각 양산중이다.

< 박주병 기자 jbpark@ >

( 한 국 경 제 신 문 1998년 10월 29일자 ).