"지원 주파수·통신 성능 개선…업계 최고 수준 저전력 유지"

삼성전자는 무선통신 성능을 강화한 차세대 5G 밀리미터파(㎜Wave) 기지국용 무선통신 핵심칩(RFIC) 개발에 성공했다고 22일 밝혔다.

삼성전자는 2017년 업계 최고 수준의 저전력 성능을 가진 1세대 무선통신 핵심칩을 개발했다.

차세대 무선통신 핵심칩은 지원 주파수와 통신 성능을 개선하면서 저전력 성능은 여전히 업계 최고 수준인 것이 특징이라고 삼성은 설명했다.

신호 대역폭을 기존 800㎒에서 1.4㎓로 75% 확대했으며, 노이즈와 선형성 특성을 개선해 송수신 감도를 향상시켰다.

이에 따라 최대 데이터 전송률과 서비스 커버리지가 확대됐다.

차세대 무선통신 핵심칩의 크기도 기존 대비 약 36% 작아져 5G 기지국을 더욱 소형화할 수 있다.

이번 차세대 무선통신 핵심칩은 28㎓와 39㎓에 대응 가능하며, 해당 대역을 5G 상용 주파수 대역으로 선정한 미국, 한국 등이 타깃이다.

삼성전자는 올 2분기부터 차세대 무선통신 핵심칩을 양산한다.

유럽, 미국에서 추가 할당을 예정한 24㎓, 47㎓ 주파수 대응 칩은 올해 안에 추가 개발할 계획이다.

삼성전자는 이와 함께 디지털-아날로그변환 칩(DAFE) 자체 개발에도 성공했다.

디지털-아날로그변환 칩은 5G 초광대역폭 통신 시 디지털 신호와 아날로그 신호를 상호 변환하는 칩으로 5G 기지국에 적용하면 제품의 크기와 무게, 전력 소모를 약 25% 줄일 수 있다.

기지국의 소형·경량화는 통신 사업자의 네트워크 투자비용 및 운영비용을 줄여 더 많은 지역에서 더 빨리 5G 서비스를 제공할 수 있게 된다.

삼성전자 네트워크사업부장 전경훈 부사장은 "삼성전자는 한국과 미국에서 5G 상용화를 선도하고 있으며, 현재까지 국내외 핵심 사업자들에게 3만6천대 이상의 5G 기지국 공급을 완료했다"며 "5G 시장 선두업체로서 지속해서 5G 기술을 차별화하겠다"고 말했다.

/연합뉴스