SK하이닉스가 시장 경쟁구도 상 샌드위치 압력이 심화되는 양상이다. 반도체업계 관계자는 "재작년과 작년처럼 반도체 호황기에는 공정이 뒤쳐지는 제품도 수급논리에 의해 가격을 방어했지만 이제는 반도체 업황의 기형적인 호황이 끝나고 본격적으로 각 업체별 실적에 변별력이 생기는 구간에 진입한 것으로 보인다"고 분석했다.

D램의 경우 삼성전자가 올해 2월부터 18나노(1x나노) 공정 제품 양산을 시작한 반면 하이닉스는 아직 10나노대에 진입하지 못했다.

박성욱 SK하이닉스 사장은 지난달 기자들과 만난 자리에서 1x나노 D램 개발 진행상황에 대해 "올해 3분기 말 테스트할 것"이라며 "올해 연말까지 준비를 끝내고 내년 초 양산을 하겠다"고 밝힌 바 있다. 곧, 삼성전자와는 약 1년의 기술 격차가 있는 셈이다.

낸드플래시 메모리의 경우도 삼성전자가 2014년부터 36단 3D낸드 양산을 개시했고 현재는 48단 며 제품을 양산하며 시장을 리드하고 있는 데 비해 SK하이닉스는 최근에서야 36단 3D낸드 양산단계에 이르렀다.



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