인증을 받은 제품은 80나노 공정을 적용한 1Gb(기가비트) DDR3 단품과 PC용 고용량 메모리모듈 등 두 가지다.
이 가운데 메모리 모듈은 1GB(기가바이트)와 2GB 두 가지 용량으로,전력소비는 기존 DDR2에 비해 25%나 낮고,데이터 처리 속도는 DDR2에 비해 두 배 빠른 800Mbps와 1066Mbps다.
하이닉스는 80나노 공정을 적용한 제품을 3분기부터 양산하기로 했다.
또 연말께 66나노 공정을 적용한 DDR3 반도체도 양산할 예정이다.
이태명 기자 chihiro@hankyung.com