삼성전자, 'OCP 글로벌 서밋 2026'서 HBM5·CXL 중심 차세대 메모리 전략 공개

12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 'OCP Global Summit 2026'에서 심호준 삼성전자 DS부문 메모리사업부 AE팀 상무가 발표하고 있다. 삼성전자 제공

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM)를 넘어 컴퓨트익스프레스링크(CXL), 차세대 솔리드스테이트드라이브(SSD)까지 전면에 내세우며 인공지능(AI) 인프라 시장 공략을 대폭 강화한다. 단순 단품 메모리 공급을 넘어 글로벌 빅테크 기업들과 개발 초기 단계부터 시스템을 함께 설계하는 공동 전선을 구축하겠다는 구상이다.

삼성전자는 미국 캘리포니아주 새너제이에서 12일(현지시간) 개막한 세계 최대 개방형 데이터센터 기술 협의체 ‘OCP 글로벌 서밋 2026’에 최고 등급인 다이아몬드 스폰서로 참가해 차세대 기술 전략과 파트너십 성과를 공개했다고 13일 밝혔다.

행사 첫날 발표자로 나선 심호준 삼성전자 AE팀 상무는 ‘AI 시대 혁신 확장’을 주제로 한 기조연설에서 AI 인프라 성능 향상을 위해 △속도 △메모리 확장성 △데이터 영속성 등 세 가지 기술 방향을 제시했다. AI 모델이 대형화되고 추론 과정에서 처리해야 할 데이터와 KV 캐시 용량이 급증함에 따라 메모리 대역폭뿐만 아니라 용량 확장과 저장·관리 효율화가 필수적이라는 이유에서다.

속도 측면에선 HBM5·맞춤형 HBM·zHBM 등 차세대 메모리 기술을 통해 데이터 처리 속도와 연산 효율 향상을 꾀한다. 메모리 확장성에서는 CMM-D(CXL 기반의 D램 메모리 모듈 제품)와 CXL 기반 기술을 활용해 AI 시스템의 메모리 용량을 확장하고 데이터 관리 효율 개선한다.

현장에선 AMD와의 밀착 협업 성과도 눈길을 끌었다. 삼성전자는 CMM-D 기반 메모리 풀링 솔루션을 AMD와 공동 시연하며, 여러 시스템이 메모리 자원을 공유하고 AI 추론에 필요한 용량을 유연하게 확보하는 방안을 입증했다. 삼성전자 파운드리 4㎚(나노미터·10억 분의 1m) 공정으로 양산되는 그록(Groq) LPU 웨이퍼와 엔비디아 그록 3 LPX 시스템, 차세대 2㎚ 게이트올어라운드(GAA) 웨이퍼도 실물이 함께 공개됐다.

김채연 기자 why29@hankyung.com