사진=연합뉴스
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중국이 고대역폭메모리(HBM) 등 첨단 메모리 해외 의존도를 대폭 줄일 것이라는 관측이 나왔다.

25일(현지시간) 차이신·사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 글로벌 투자은행(IB) 골드만삭스는 최근 '중국 반도체 국산화의 지속적 추진' 보고서를 통해 창신테크놀로지(CXMT)가 2028년이면 중국 D램 수요의 약 50%, 고대역폭메모리(HBM) 수요의 40%를 충족할 수 있을 것이라는 전망을 내놨다.

CXMT는 현재 12인치 D램 공장을 허페이에 2곳, 베이징에 1곳 가동 중이다. 월 생산능력 합계는 30만장 정도로 추정된다. 앞서 로이터통신은 상하이 등의 신규 공장 완공 시 월 생산 능력이 60만장 이상으로 늘어날 수 있다고 보도한 바 있다.

골드만삭스는 또 중국이 향후 10년간 7㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 이하 첨단 공정 칩 자립화에서도 속도를 낼 것이라고 내다봤다. 2035년이면 중국의 7나노 이하 공정 웨이퍼 수급 격차가 34%로 줄어들 것으로 예상했다. 보고서에 따르면 지난해 중국의 첨단 웨이퍼 수요 대비 공급 부족 비율은 92％였다. 하지만 10년 후에는 첨단 웨이퍼 수요가 61만 9000장인 반면에 공급이 41만장으로 올라와 공급 부족이 34% 수준으로 줄어들 수 있다는 분석이다.

골드만삭스는 2025∼2035년 중국의 첨단 공정 웨이퍼 공급의 연평균 증가율(CAGR)이 46%를 기록할 것이라고 예상했다. 이럴 경우 수요 증가율 17%를 크게 앞서게 된다. 중국 최대 파운드리(반도체 수탁생산) 업체인 중신궈지(SMIC)가 공격적인 생산능력 확장과 수율 개선으로 이러한 흐름을 주도할 것으로 골드만삭스는 내다봤다.

골드만삭스는 보고서를 통해 2026∼2031년 SMIC의 첨단 웨이퍼 월 생산 능력이 매년 3만∼5만장씩 증가하고 2032∼2035년에는 매년 2만장씩 늘어나는 것으로 가정했다. 수율은 올해 23%에서 2030년 50%를 찍은 뒤 2035년 75%로 올라가는 것으로 추정했다.

다만 CXMT가 삼성전자·SK하이닉스 등 글로벌 업체들과는 2∼3세대 정도의 기술격차가 난다는 점을 근거로 극자외선(EUV) 노광 장비 등 첨단 반도체 장비 공급 제한이 이어질 것이라고 이들은 분석했다. 중국 반도체 자급률도 크게 향상될 것이라는 분석도 내놨다. 2010년 1월 38%에 불과했던 중국 반도체 자급률이 지난 6월 70%까지 올라갔다는 것이다.

또 이들은 중국의 반도체 분야 투자가 매년 10%대 증가세를 유지해 2030년이면 820억 달러(약 113조6천억원)에 이를 것으로 분석했다. 1년 전 예상보다 79%가량 많은 액수다. 하지만 첨단 심자외선(DUV) 노광장비의 ASML 의존 등은 여전히 난제라는 분석도 함께 제시했다.

업계에서는 CXMT와 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)가 기업공개(IPO)를 통해 확보한 자금으로 중국의 반도체 굴기를 가속화할 것이라는 관측이 나온다. CXMT는 지난달 IPO를 통해 666억위안(약 14조원)을 조달했다. 역대 중국 기업 중 두 번째로 큰 상장 규모에 해당한다. YTMC도 IPO를 발판 삼아 330억위안(약 6조8000억원)을 조달한다는 계획이다.

원종환 기자 won0403@hankyung.com