한국과학기술연구원(KIST)이 반도체등 각종 첨단소재 원소조성을 시료에
손상을 주지 않고 분석할 수 있는 고전압가속기를 설치, 18일부터 가동에
들어간다.

KIST는 총12억원을 투입해 특성분석센터에 설치한 이 가속기가 반도체
금속 세라믹 등 소재의 깊이에 따른 조성비를 신속하게 동시에 분석해
물질의 개량이나 신소재개발에 사용할 수 있을 것이라고 설명했다.

또 향후 전방산란법 공명핵반응법 방출X선분석법 미세이온선법 등을
이용할 경우 환경오염측정이나 생물학 의학 지질학 고미술분야에 활용이
가능하다고 덧붙였다.

이 가속기는 이온원에서 추출된 음전하를 양극 음극 양말단에서 2회
가속하는 탠덤형가속기로 최대 가속전압이 2백만V이지만 실제로는
가속전압을 4백만V까지 증가시킬 수 있는 방식이다.

수백만 전자V의 에너지를 가진 양성자 알파입자를 시료에 투사해 탄성
충돌로 튕겨져 나오는 입사이온의 에너지를 측정, 물질을 분석하는
후방산란방식의 분석시스템을 갖췄다.

이 가속기는 대덕 연구단지에 있는 1백만, 1백70만볼트의 가속기보다
고압으로서 수도권지역의 대학 및 연구소에서 활용될 수 있을 것으로
보인다.

(한국경제신문 1996년 1월 18일자).