삼성전자는 1기가 싱크로너스(Synchronous.동기식) D램의 시제품을 세계
처음으로 개발했다고 11일 발표했다.

이 회사는 독자적으로 개발한 설계기술을 적용, 1기가 싱크로너스 D램
시험제작에 성공했다고 밝혔다.

삼성은 시제품과 설계기술을 13일 미국 워싱톤에서 열리는 국제 전자부품
회의(IEDM)에서 공식 발표한다.

시제품은 원재료인 웨이퍼위에 설계도를 그려 넣은 것으로 통상 개발했다고
말할 수 있는 워킹 다이(Working Die)의 전단계다.

삼성은 이 제품이 머리카락보다 6백40배 얇은 0.16미크론m(1미크론m은
1백만분의 1m)의 회로선폭을 이용해 설계됐다고 밝혔다.

또 31나노초(1나노초는 10억분의 1초)의 정보처리속도를 가져 1초에 10억
바이트의 정보를 처리할 수 있다고 설명했다.

신문지로는 8천장, 단행본으로는 1백60권이상의 정보를 저장할 수 있다고
덧붙였다.

삼성은 "이번 시제품이 싱크로너스형으로 제작된데다 실제 칩 크기로
만들어져 올해 초 일본 NEC가 발표한 1기가D램 시제품보다 한 단계 높은
수준"이라고 설명했다.

싱크로너스 D램이란 일반 D램과 달리 중앙처리장치(CPU)와 똑같은 속도로
정보를 처리, 데이터의 병목현상이 없도록 한 제품이다.

(한국경제신문 1995년 12월 12일자).