[한미정상회담 D-1] 삼성반도체 공장서 방명록 대신 '3나노 웨이퍼' 서명한다

조 바이든 미국 대통령의 방한 첫 일정인 삼성전자 평택 반도체공장 시찰에서 반도체 웨이퍼에 서명하는 행사가 진행될 것으로 알려졌다.

윤석열 대통령과 바이든 대통령은 20일 오후 바이든 대통령의 오산공군기지 도착 직후 삼성전자 평택공장을 방문한다.

두 정상은 이재용 삼성전자 부회장의 안내를 받으며 현재 가동 중인 1라인(P1)과 아직 건설 중인 3라인(P3) 등을 둘러볼 예정이다.

삼성전자는 바이든 대통령에게 조만간 양산에 돌입하는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 세계 최초 3나노미터(㎚=10억분의 1m) 반도체 시제품을 소개할 것으로 알려졌다.

두 정상은 이 3나노 반도체 웨이퍼에 서명할 계획이다.

웨이퍼는 반도체의 재료가 되는 얇은 실리콘 판이다.

통상 공장 등 현장을 방문하면 방명록에 이름을 적는 경우가 많은데 종이 대신 반도체산업의 상징인 웨이퍼를 택한 것이다.

바이든 대통령은 작년 4월 백악관에서 삼성전자 등 주요 반도체 기업을 소집한 회의에서 웨이퍼를 손에 들고 흔들며 대미 투자를 독려하기도 했다.

미국은 반도체 연구개발, 설계, 장비에서 선두주자이지만 생산시설이 부족하다.

이에 한국과 대만 등 세계 반도체 생산을 주도하는 우방국과 함께 안정적인 반도체 공급망을 구축하고 중국의 추격을 견제하려고 한다.

21일 정상회담에서도 반도체 등 첨단기술 협력이 주요 의제로 논의될 전망이다.

/연합뉴스

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