이석희 SK하이닉스 사장 "낸드플래시 600단 적층 가능"

이석희 SK하이닉스 대표이사 사장은 "향후 D램은 10나노미터(nm) 이하 공정에 진입하고, 낸드플래시는 600단 이상 적층도 가능하게 될 것"이라고 밝혔다.

이석희 사장은 22일 열린 세계전기전자학회(IEEE)의 국제신뢰성심포지엄(IRPS) 기조연설에서 "앞으로 메모리 반도체의 물질은 물론 설계 구조와 신뢰성을 개선해 `기술적 가치`를 높여갈 것"이라며 이같이 밝혔다.

`미래 ICT 세상을 향한 메모리 반도체 기술의 여정`을 주제로 한 이날 온라인 행사에서 이석희 사장은 올해 SK그룹 전체가 역점을 두고 있는 `파이낸셜 스토리`를 공유하고 이를 달성하기 위한 기술을 비롯해 사회, 시대 등 3가지 가치를 제시했다.
이석희 SK하이닉스 사장 "낸드플래시 600단 적층 가능"

먼저 `기술적 가치`를 강조하며 SK하이닉스는 최근 미국의 마이크론에 이어 176단 낸드 개발에 성공했다는 점을 강조했다. 이어 이 사장은 더 나아가 600단 이상도 가능하다는 점을 피력했다. 그는 "패터닝 한계 등을 극복하면 D램은 10나노미터 이하 공정 진입이 가능하다"고 말했다.

반도체를 통한 에너지, 환경 등 사회문제를 해결하기 위한 방안도 소개했다. 이 사장은 대표적인 사례로 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)를 들며 "대표 저장장치인 하드디스크 드라이브(HDD)를 저전력 SSD로 교체하면 이산화탄소 배출을 93% 줄일 수 있다"고 전했다.

이 사장은 "세계 모든 데이터센터의 HDD를 2030년까지 저전력 SSD로 교체하게 되면 4,100만t의 이산화탄소 배출을 줄일 수 있을 것"이라며 "에너지 소비를 크게 절감하면서도 컴퓨팅 성능을 향상하는 새로운 솔루션을 지속적으로 선보이겠다"고 설명했다.

끝으로 `시대적 가치`를 창출하기 위해서는 "인공지능(AI) 기술을 기반으로 모든 기기가 통합되는 뉴 ICT의 시대로 진화해 갈 것"이라고 진단했다.

그는 "메모리 반도체는 성능 한계 극복을 위해 메모리와 처리장치가 융합되는 방향으로 발전할 것"이라고 말했다. 나아가 "메모리 기술은 뉴로모픽 반도체(뇌신경을 모방한 반도체)로, 스토리지 기술은 DNA 반도체와 같은 형태로 통합돼 갈 것"이라고 전망했다.

한편 IEEE가 주관하는 학술행사인 IRPS는 반도체 등 여러 기술 분야 엔지니어와 과학자들이 참여해 연구 성과를 공유하는 국제 콘퍼런스다. 이 사장은 지난 1월 IEEE의 산하 단체인 `소비자 기술 소사이어티(CTSoc)`에서 `우수리더상`을 수상한 바 있다.

이지효기자 jhlee@wowtv.co.kr

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