김기남 삼성전자 반도체총괄 사장이 파운드리포럼에서 사업계획을 설명하고 있다.

김기남 삼성전자 반도체총괄 사장이 파운드리포럼에서 사업계획을 설명하고 있다.

삼성전자가 파운드리(반도체수탁생산) 공정에 2020년 4나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m) 기술을 적용한다. 핀펫에서 한 단계 더 나아간 ‘GAAFET(gate all around FET) 구조’도 처음 도입한다.

삼성전자는 24일(현지시간) 미국 샌타클래라에서 ‘삼성 파운드리 포럼’을 열어 이 같은 계획을 공개했다. 지난 12일 조직 개편에서 파운드리사업부가 출범한 이후 처음 열린 행사다.

삼성전자가 이번에 도입하기로 한 GAAFET 구조는 게이트가 채널을 완전히 둘러싸도록 해 칩 성능이 핀펫보다 크게 향상된다. 이를 통해 삼성전자는 세계 최대 파운드리업체 TSMC와의 경쟁에서 한발 앞서나갈 전망이다.

삼성전자 파운드리사업부는 올해 8㎚ 공정을 도입하며 내년에는 7㎚ 공정 상용화를 계획 중이다. 2019년에는 공정이 5㎚까지 미세화된다. 윤종식 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 “고객사와 적극적인 협력 관계를 구축해 최적의 솔루션을 제공할 것”이라고 말했다.

노경목 기자 autonomy@hankyung.com

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