[한경닷컴]광주과학기술원(GIST)은 이탁희 신소재공학과 교수팀이 트랜지스터(Transistor)와 유기 메모리 소자(Resistor)를 결합한 1T-1R(1 트랜지스터 + 1 레지스터) 형태의 유기 전자소자 제조 기술을 세계 최초로 개발했다고 24일 발표했다.이 연구결과는 재료공학분야 국제학술지 ‘어드밴스드 머티리얼스’(26일자)에 게재된다.


유기 소재를 이용한 메모리 소자는 가격이 저렴하고 저온 제작이 가능하며 구부러지는 플라스틱(flexible plastic) 제품 생산에 적합하다.최근 고집적 유기 메모리 소자를 구현하기 위해 전세계적으로 많은 연구가 진행되고 있으나 인접한 메모리 셀 간의 크로스 토크(인접한 소자사이의 혼선으로 잘못된 정보의 쓰기,지우기,읽기가 되는 현상) 문제로 어려움이 있었다.


연구팀은 이를 해결하기 위해 실리콘 기판 위에 트랜지스터를 제작하고 트랜지스터의 전극에 폴리풀루오렌 계열의 유기 물질을 코팅해 저항 변화 메모리 소자를 제작했다.이후 유기 메모리 소자의 저항 상태에 따른 1T-1R 소자의 전기적 특성 및 소자 특성을 연구했다.이 교수는 “이번 연구결과는 유기 소재를 이용한 메모리 소자 제작 및 고집적 유기 메모리 소자를 구현할 경우 필요한 1T-1R 소자를 제작하고 평가함으로써 차세대 고집적 유기 반도체 소자기술을 제조할 수 있는 기초를 다졌다는 데 의미가 있다”고 말했다.

황경남 기자 knhwang@hankyung.com

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