가 11일 세계 최초로 40나노 기술을 이용한 32기가 낸드플래시 메모리 개발에 성공, '황(黃)의 법칙(메모리 신성장론)'을 7년 연속 입증했다.

`메모리 용량(집적도)이 1년에 2배씩 증가한다'는 이 이론은, 황창규 삼성전자 반도체총괄 사장이 2002년 2월 국제반도체학회(ISSCC) 총회 기조연설에서 발표하면서 반도체 학계의 정설로 받아들여지고 있다.

이로써 `1.5년만에 반도체 용량이 2배가 된다'는 기존 `무어의 법칙'은 용도폐기됐다.

삼성전자는 1999년 256메가 낸드 플래시를 개발한 이후 2000년 512메가, 2001년 1기가, 2002년 2기가, 2003년 70나노 4기가, 2004년 60나노 8기가, 2005년 50나노 16기가 낸드 플래시를 개발했다.

또한 삼성전자는 2001년 100나노에서 올해 40나노까지, 6년 연속 최첨단 나노기술을 세계 최초로 개발하는 경이적인 성과를 동시 달성했다.

특히 삼성전자가 이번에 개발한 40나노 32기가 제품은 '플로팅 게이트'라는 기존 기술에서 탈피하고, 타노스(TaN) 등 신물질과 신구조의 CTF(Charge Trap Flash) 기술로 상용화됐다는 점에서 기존 제품들과 차별성을 갖고 있다.

기존 '플로팅 게이트' 기술로는 셀(cell)과 셀 사이의 간섭 현상과 공정 수(數) 증가에 따른 비효율 때문에 반도체 기술의 초미세화 및 대용량화 구현에 한계가 있었다.

그러나 CTF 기술은 '전하를 기존의 도체가 아닌 부도체 물질에 저장한다'는 발상의 전환으로 셀간 간섭 문제를 완벽히 해결한 혁신적인 기술이라고 삼성전자는 설명했다.

황창규 사장은 "CTF 기술에 대한 5년간의 연구 활동을 통해 155개의 원천특허와 개량특허를 확보하면서 업계 최초로 상용화에 성공했다"면서 "삼성 독자 기술로 반도체 기술을 선도하고 경쟁사와 기술 격차도 더욱 벌릴 수 있게 됐다는 데 큰 의미가 있다"고 말했다.

삼성전자는 2001년부터 CTF 기술 개발에 착수, 2002년 기본 특허를 출원했으며, 2003년에는 세계 최고 권위의 반도체학회인 IEDM(국제전자소자회의)에 관련 논문을 세계 최초로 발표한 바 있다.

한편 삼성전자는 40나노의 문을 처음으로 열어젖힌 올해를 새로운 디지털 세상을 여는 '플래시토피아(Flashtopia)'로 진입하는 원년으로 선언했다.

40나노(1나노는 1억분의 1m)는 머리카락 두께의 3천분의1에 해당하는 굵기며, 32기가는 세계 인구 65억명의 5배에 해당하는 328억개의 트랜지스터를 손톱만한 칩 안에 집적한 용량이다.

이 제품 8개를 이용해 32기가바이트(GB) MP3 플레이어를 만들 경우, MP3 음악파일을 최대 8천곡까지 저장할 수 있다.

또한 64기가바이트(32기가비트 X 16개) 메모리 카드로도 제작 가능한데, 고해상도 사진 3만6천장이나 영화 40편을 저장할 수 있으며, 전세계 지리 정보를 네비게이션에 담아낼 수 있다.

이 메모리카드 열 장이면 국회도서관 장서도 무려 220만권을 저장할 수 있다.

삼성전자는 40나노 기술이 본격 도입되는 2008년부터 5년간 약 500억달러 규모의 40나노 시장이 형성될 것으로 예상했다.

(서울연합뉴스) 강영두 기자 k0279@yna.co.kr