삼성, DDR3 D램 세계 첫 개발 .. 동작속도 최고 4배

현재 쓰이는 D램보다 동작속도는 최고 4배 빠르면서도 전력은 덜 소모되는 D램이 개발됐다.

삼성전자(77,300 -0.13%)는 차세대 D램 시장을 이끌 새로운 규격의 메모리 반도체 DDR3(더블데이터레이트 3) D램을 세계 최초로 개발했다고 17일 밝혔다.

이 제품은 초고속 동작을 위한 신기술이 적용돼 동작속도가 1천66Gbps로 DDR D램의 4배,최근 주력 제품으로 떠오르고 있는 DDR2에 비해서는 2배의 속도를 구현할 수 있다.

또 메모리 제품 가운데는 처음으로 1.5V의 저전압으로 동작해 동작전압이 1.8V인 DDR2에 비해 전력소모를 20% 가량 줄일 수 있는 초저전력 제품이다.

회사 관계자는 "회로선 폭 80나노 공정을 이용한 5백12메가의 대용량으로 세계반도체표준협회(JDEC)의 DDR3 표준규격을 지원하는 최초의 D램"이라며 "내년부터 양산돼 PC와 서버의 메인 메모리에 주로 쓰일 것"이라고 설명했다.

삼성전자는 DDR,DDR2 등 주력 D램 제품의 개발과 표준화를 이끌어 온 데 이어 DDR3 D램도 업계 최초로 개발함으로써 3세대 연속으로 제품 표준화를 주도하게 됐다고 의미를 부여했다.

또 데스크톱 노트북 서버 등 컴퓨터 시스템이 빠르게 고성능화되면서 올해 주력 메모리가 DDR2로 전환되고 DDR3 D램은 2007년부터 본격적인 성장기에 접어들 것으로 내다봤다.

조일훈 기자 jih@hankyung.com

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