벌크 실리콘 기판을 이용하면서도 집적도와 성능이 우수한 40나노미터(㎚)급 이중게이트 CMOS(상호보완성 금속 산화막반도체) 소자를 생산할 수 있는 기술이 세계 최초로 국내에서 개발됐다. 경북대학교 이종호 교수팀은 25일 국내 반도체 업계에 사용되고 있는 벌크 실리콘 기판을 사용함으로써 가격 경쟁력이 우수하며 집적도와 성능이 뛰어난 이중게이트 CMOS소자 생산 기술을 개발했다고 밝혔다. CMOS 소자는 중앙처리장치(CPU)를 포함하는 다양한 로직 집적회로와 비휘발성 메모리 등 각종 D램 반도체 메모리에 사용되는 것이다. 기존의 CMOS 소자가 평탄한 구조로 인해 소자크기를 줄이기가 어려웠던 것과 달리 이 교수팀은 수직 구조를 적용,소자크기를 줄일 수 있도록 했다. 또 벌크 웨이퍼 가격이 외국에서 사용하는 값비싼 SOI(Silicon On Insulator)웨이퍼의 3분의 1 이하에 불과하다. 따라서 이번에 개발된 CMOS는 단가가 싸면서도 집적도와 성능은 SOI 웨이퍼를 이용한 것보다 떨어지지 않는 것으로 평가받고 있다. 이중게이트는 소자의 크기를 줄이는 역할뿐 아니라 단일게이트 소자가 안고 있는 누설전류 발생이라는 문제점을 크게 개선한 것이다. 이 교수팀은 이 기술과 관련해 외국에 5건,국내에 3건 등 8건의 특허를 출원했으며 각종 반도체 관련 국제학술대회에서도 발표됐다. 이 교수는 "벌크 웨이퍼를 이용해 세계에서 처음으로 40㎚급 소자 개발에 성공했다"면서 "관련기업에서 핵심기술을 전수받아 공정 최적화를 통해 50∼1백20㎚급 소자를 생산할 수 있을 것"이라고 말했다. 이 기술은 2007년께 상용화될 전망이다. 오춘호 기자 ohchoon@hankyung.com