삼성전자가 세계 처음으로 회로선폭 0.13미크론(1미크론은 1백만분의 1m)의
1기가 DDR(Double Data Rate) 싱크로너스(S) D램 상용제품을 개발했다.

황창규 삼성전자 부사장(반도체 연구소장)은 26일(현지시간) 미국 텍사스주
오스틴 반도체공장에서 기자회견을 갖고 회로선폭 0.13미크론의 초미세가공
기술로 데이터 처리속도 3백50메가헤르쯔(MHz)의 1기가 DDR SD램 상용제품을
개발했다고 발표했다.

이 1기가 DDR SD램은 2백56메가 D램보다 기억용량이 4배인 제품으로 한개의
칩에 영자 신문 8천쪽, 2백자 원고지 32만장, 단행본 1백60권의 정보를 저장
할수 있다.

황 부사장은 "칩크기가 초소형(3백49 평방mm)으로 경쟁업체보다 1년이상
빨리 선보이게 됐다"며 "특히 현행 설비로 기존 D램의 회로선폭인 0.18미크론
보다 훨씬 앞선 0.13미크론의 회로선폭 기술을 상용화했다는데 의미가 있다"
고 설명했다.

회로선폭을 얼마나 가늘게 하는가는 반도체 칩 사이즈를 결정짓는 반도체
핵심기술이다.

1기가 D램 개발과 관련, 삼성은 국내외에 1백29건의 특허를 출원했다.

삼성은 2001년말이나 2002년부터 1기가 DDR SD램을 양산해 개당 6백~1천달러
선에서 공급할 계획이다.

1기가 D램 세계시장은 2004년 6백38억달러, 2005년 1천22억달러에 달할
것으로 전망된다.

이에앞서 우선 0.13미크론 기술을 내년초부터 64, 1백28, 2백56메가 D램
생산에 적용할 방침이다.

기존 라인에 적용할 경우 생산성을 2백30%이상 높일수 있다.

이에따라 기존 8인치 웨이퍼 설비로 12인치 웨이퍼를 사용할때 기대할수
있는 생산수율을 얻을수 있어 12인치 웨이퍼 공장 건설에 들어가는 40억달러
이상의 투자비를 아낄수 있게 됐다고 삼성은 덧붙였다.

DDR은 삼성전자 제안으로 반도체분야 민간국제표준화 기구 JEDEC가 지난
97년 채택한 차세대 고속 메모리 기술이다.

한번 클럭으로 2개의 정보를 주고 받을수 있어 정보처리 속도가 기존
반도체보다 2배 빠르다.

고속 메모리 반도체는 DDR과 인텔이 제안한 램버스 D램이 주력제품으로
떠오르고 있다.

일본 미국회사들은 2000년 상반기쯤 이 제품을 상용화할 것으로 알려졌다.

< 텍사스주 오스틴 = 강현철 기자 hckang@ >


( 한 국 경 제 신 문 1999년 6월 28일자 ).