삼성전자는 더블 데이터 레이트(DDR) 방식의 1백28메가 싱크로너스D램을
개발했다고 8일 발표했다.

DDR방식의 싱크로너스D램은 램버스D램과 함께 2000년 이후 기존의
싱크로너스D램을 대체할 것으로 예상되는 차세대 고속 메모리 반도체다.

램버스D램이 PC에 주로 채용되는데 비해 DDR는 PC서버 워크스테이션
데이터통신 제품 등에 사용될 것으로 전망된다.

삼성이 이번에 개발한 1백28메가 DDR 제품은 정보처리속도 2백66MHz로
초당 2천6백만자를 전송할 수 있는데 비해 소비전력은 2.5V로 아주 낮은
초고속 저전력 메모리반도체이다.

특히 PC-100과 PC-133등의 신규격에 맞게 원칩으로 디자인되어 있다.

삼성은 앞서 개발한 64메가 제품과 함께 올 하반기중 양산에 들어갈
예정이다.

DDR 싱크로너스D램은 삼성이 주도적으로 표준화를 추진, 반도체 국제
표준화기구인 JEDEC에 의해 신표준규격으로 채택됐으며 올 하반기부터
시장이 형성될 것으로 예상된다.

< 윤진식 기자 jsyoon@ >


( 한 국 경 제 신 문 1999년 2월 9일자 ).

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