현대전자는 차세대 반도체 제조의 핵심기술인 탄탈륨막 캐패시터
(Capacitor) 공정기술을 세계 처음으로 개발했다고 26일 발표했다.

이 기술은 반도체 칩에서 데이타를 저장하는 커패시터를 기존의 질화
산화막이 아닌 탄탈륨막으로 제조하는 기술로 전하보존량이 높아 회로선폭
0.18미크론m(1미크론m는 1백만분의 1m) 이하의 차세대 반도체 제조에 반드시
필요하다고 현대는 밝혔다.

일본의 NEC 히타치와 국내 삼성전자등은 2백56메가D램이상의 반도체에는
이 기술이 필요하다고 보고 현재 기술 개발에 나서고있는 것으로 알려졌다.

현대전자는 최근 이 기술을 회로선폭 0.18미크론m의 1기가 D램 제조에
적용해 20%정도의 완성품을 얻는 성과를 거두었다.

현대전자는 이 기술을 국내외에 특허 출원했으며 장비도 국산화시켜
연간 1억2천만달러의 수입대체효과를 거두게 됐다고 덧붙였다.

반도체업체들은 커패시터를 제조할 때 질화막과 산화막을 적층시켜
유전체를 제조해왔으나 회로선폭이 좁은 1백28메가D램이상의 메모리
소자에서는 셀의 크기가 작아져 높은 정전용량을 확보하기 어려웠다.

현대전자는 이에따라 질화산화막보다 전하보전용량이 2배이상 높고
전류의 누설현상도 방지하는 탄탈륨막을 이용한 커패시터를 개발하게
됐다고 설명했다.

< 박주병 기자 jbpark@ >


( 한 국 경 제 신 문 1998년 8월 27일자 ).

ⓒ 한경닷컴, 무단전재 및 재배포 금지