삼성전자는 64메가D램과 2백56메가D램 등 차세대 주력반도체를 제조할 수
있는 고효율 웨이퍼인 "삼성 웨이퍼"를 개발했다고 25일 발표했다.

삼성웨이퍼는 수율저하와 생산원가 상승이라는 기존 실리콘웨이퍼와
에피웨이퍼의 단점을 보완, 64메가D램의 초정밀공정에 적합하도록 만든
저결정결합 웨이퍼이다.

삼성전자는 64메가D램등에 이 웨이퍼를 사용, 가격경쟁력을 높이는 것은
물론 2000년까지 2억달러가량의 원가절감효과를 거둘 수있을 것으로 기대
하고 있다.

삼성은 또 이 웨이퍼 제조 기술을 세계 최대의 웨이퍼가공업체인 일본의
SEH사와 MSIL사에 판매키로 특허 라이선스 계약을 최근 체결, 2000년까지
1천만달러이상의 로열티 수입을 올리게 됐다고 덧붙였다.

삼성전자 관계자는 "이 기술에 대해 세계 8개국에 특허를 출원했다"면서
"앞으로 이번에 개발된 기술을 발판으로 저결정에서 한발 더 나아간 무결정
결함웨이퍼 기술을 개발할 계획"이라고 말했다.

< 박주병 기자 >


( 한 국 경 제 신 문 1998년 3월 26일자 ).