현대전자가 미국의 램리서치사와 공동으로 4기가D램급의 반도체 생산에
사용할수 있는 초미세 회로현상장비를 개발했다고 28일 발표했다.

이번에 개발한 장비는 세계 최고수준의 초미세회로를 현상할수 있는 장비로
0.12미크론m까지의 회로형성이 가능하다.

따라서 이 장비를 이용하면 기존 64메가D램 생산시설을 활용, 4기가D램과
차세대 비메모리반도체를 제조할수 있어 반도체 생산원가가 대폭 절감된다고
밝혔다.

특히 이 장비는 반도체제조의 핵심장비인 실리레이션 반응기와 감광식
건식식각장비를 통합한 새로운 개념의 장비여서 기존에 두장비가 분리돼
발생하는 문제점인 회로선폭의 불균일등을 해소할수 있게 됐다.

현대전자는 이 장비및 기술을 미국 산호세에서 열린 미세패턴형성기술학회
인 SPIE97에서 발표, 우수성을 인정받았다고 설명했다.

현대전자는 최근 4기가D램용 감광제를 개발한데 이어 이번에 현상장비도
개발함에 따라 차세대 고집적 메모리개발경쟁에서 핵심재료와 장비에 대한
기술력을 확보하게 됐다고 밝혔다.

< 김낙훈 기자 >

(한국경제신문 1997년 7월 29일자).

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