삼성전자는 D램 S램 플레쉬 메모리 등 지금까지 나온 각종 제품에서
장점만을 모아 "궁극적 기억소자"라고 불리는 F램(ferroelectric RAM
: 강유전체 메모리)을 개발했다고 24일 발표했다.

이 회사는 삼성종합기술연구원과 공동으로 개발한 이 제품은 집적도가
64K바이트로 <>설계가 쉽고 용량이 큰 D램 <>정보전달 속도가 빠른
S램 <>전원이 꺼져도 입력된 정보가 지워지지 않는 플래쉬 메모리의
장점을 모두 갖고 있다고 밝혔다.

F램은 지난해 미국 램트론사가 64K짜리 제품을 상용화, 현재 가전기기
스마트카드 게임기등에 채용되고 있으며 일본 NEC 히타치등도 개발에
적극 나서고 있다.

삼성은 이번에 선보인 제품이 알루미늄 2중라인을 채택, 단일 배선이
기존 제품보다 처리속도가 빠르다고 설명했다.

또 반도체 칩안에 들어가는 트랜지스터의 숫자를 줄여 크기를 D램
수준으로 축소했다고 덧붙였다.

이 회사는 F램이 <>오는 98년부터 S램과 플래쉬 메모리등을 대체,
연간 17억달러규모의 세계시장을 형성하고 <>오는 2000년엔 3백억달러로
시장규모가 확대될 것이라고 전망했다.

삼성은 이 제품이 궁극적으로는 D램도 대체할 것이라며 오는 98년까지
메가급 제품을 개발, 주력 메모리 제품으로 육성할 계획이라고 밝혔다.


<< F램 >>

전기를 가할 경우 형성된 두개의 극이 전기가 끊어져도 계속 유지되는
강유전체를 정보를 저장하는 캐퍼시티에 사용한 반도체.

D램처럼 정보 저장을 위해 계속 전기를 넣어주어야할 필요가 없으며
정보처리속도도 빠르고 설계가 쉬운 것이 장점이다.

<조주현기자>

(한국경제신문 1996년 10월 25일자).

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