현대전자가 7일 64메가D램 엔지니어링샘플을 내놓았다.
삼성전자에 이어 현대전자가 64메가D램의 엔지니어링샘풀을 출하한데다
금성일렉트론도 내년초 선보일 예정으로있어 차세대반도체제품을 먼저 상
품화하기위한 국내반도체업체들과 미.일업체간 경쟁이 막바지로 치닫고있
는 양상이다.
이날 상품화 전단계인 엔지니어링샘플을 내놓은 현대전자는 정보처리속도
가 35나노초(1나노는 10억분의 1)로 IBM(40나노초) 마쓰시타(50나노초)등
경쟁업체들이 선보인 샘플보다 성능이 앞선다고 자체 평가했다.
또 3.0~3.6V의 전압범위에서 완전 작동되며 3.3V의 낮은전압과 60mA의 전
류를 소비하는 초절전제품이라고 발표했다.
현대전자는 이샘플을 만들기위해 0.35미크론(1미크론은 1백만분의 1m)급의
초미세 가공기술과 관련 장비를 사용했으며 마스크작업회수를 18회(기존 21
회)로 줄이는 공정기술도 개발했다고 밝혔다.

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