삼성전자는 비메모리분야 강화를 주요내용으로 하는 반도체사업
중장기육성계획을 확정,17일 발표했다.

삼성전자는 반도체매출액을 올해 30억달러에서 오는 2000년에는 5배인
1백50억달러수준으로 끌어올려 세계반도체시장 점유율을 4%선에서
5%이상으로 높이기로 했다.

또 지금까지의 D램등 메모리분야 편중생산에서 탈피,ASIC(주문형반도체)등
비메모리 마이크로분야를 강화하여 메모리대 비메모리 매출비율을 현재
80대20에서 96년 70대30, 그리고 2000년에는 50대50으로 조정해 나가기로
했다.

삼성전자는 이를위해 마이크로사업을 고부가첨단으로 전환, 부가가치가
낮은 트랜지스터및 시계용 IC생산시설을 축소하는 한편 수요가 급증하고
있는 파워트랜지스터 ASIC 마이컴 PC용 칩세트 통신기기용 화합물반도체
등을 오는 97년까지 개발, 양산에 나설 계획이다.

마이크로제품 개발방안으로 동경 미국 유럽등지 외에도 러시아등에 연구소
및 디자인센터를 신설, 해외연구개발 거점을 현재 8개에서 15개로 늘려
나가고 외국 선진업체와의 전략적 제휴관계도 확대해 나갈 방침이다.

수출선도 일본및 유럽지역을 강화,오는 95년까지 대일수출비중을 현재
1.1%에서 5%로 높이고 수입규제가 심한 대미 수출의존도는 줄여나갈
방침이다.

이회사는 이밖에 반도체와 기술및 생산방법이 유사한 초박막(TFT)LCD분야
도 매년 1천5백억원씩 투자, 육성해 나가기로 했다.

이회사는 D램분야에서는 세계최대 생산업체이나 비메모리는 초보단계에
머물고 있다.