최태원 SK그룹 회장(사진 오른쪽)이 미국 실리콘밸리를 찾아 미국 반도체 기업 엔비디아의 젠슨 황 최고경영자(CEO·왼쪽)와 만났다. SK하이닉스가 주도하고 있는 고대역폭메모리(HBM)와 관련한 논의를 했을 것이라는 관측이 나온다.SK 관계자는 25일 “최 회장이 지난 22일 실리콘밸리에 도착해 젠슨 황 CEO를 만났다”고 말했다. 엔비디아는 세계 인공지능(AI) 가속기 시장의 80%가량을 장악하고 있는 기업이다. AI 가속기는 엔비디아가 생산하는 그래픽처리장치(GPU)와 HBM을 한데 붙여 만든다. 이 HBM의 대부분을 SK하이닉스가 납품한다. 그런 만큼 만남의 주제는 ‘차세대 HBM 공급’이 됐을 것으로 업계는 예상하고 있다.SK하이닉스가 1분기 ‘어닝 서프라이즈’를 낸 데 일등공신도 HBM이었다. 영업이익률이 50%를 웃도는 HBM이 날개 돋친 듯 팔리면서 D램 부문에서만 2조원이 넘는 영업이익을 냈기 때문이다. SK하이닉스는 세계 HBM 시장의 절반 이상을 점유하고 있다.SK하이닉스는 지난달 말부터 엔비디아에 납품하고 있는 최신 제품 HBM3E 생산능력을 확대해 삼성전자와의 격차를 벌린다는 계획이다. 김우현 SK하이닉스 최고재무책임자(CFO·부사장)는 이날 콘퍼런스콜에서 “올해 고객이 원하는 HBM3E 제품은 주로 8단”이라며 “HBM3E 12단 제품은 오는 3분기 개발을 완료한 뒤 내년쯤 공급하려고 준비 중”이라고 말했다. HBM 공급과잉 우려에 대해선 “HBM 시장은 급격한 성장을 지속할 것”이라며 “2025년 이후까지 장기 프로젝트를 논의하고 있다”고 설명했다.감산 정책을 유지해온 D램과 낸드플래시는 올 하반기 재고 수준이 정상화될 것이란 전망을 내놨다.SK하이닉스는 &
최근 서울 동작구에 있는 흑석11구역 재개발 조합이 향후 구역 내 들어설 단지명을 ‘서반포 써밋 더 힐’로 정했다는 소식이 업계에 회자했다. 온라인상에서 이른바 ‘강남 3구’로 불리는 서초구 반포동 지명을 사용해 집값 프리미엄을 노린 꼼수 아니냐는 비판이 쏟아졌다. “이런 식이면 앞으로 ‘동잠실’ ‘남압구정’이라는 단지명도 나오겠다”는 이야기도 나돌았다.신탁사와 시공사가 과거 주민 설명회와 홍보용 자료에 쓴 ‘서반포’란 용어가 화근이 됐다는 게 조합 측 설명이다. 사실 여부가 무엇이든 결과적으로는 이번 일은 해프닝으로 끝날 가능성이 크다. 조합은 논란이 된 서반포라는 단어를 사용하지 않기로 한 것으로 알려졌다.하지만 업계에서는 이번 논란을 단순 해프닝으로만 치부하지 않는다. 재건축·재개발을 추진하면서 주변 인기 지역이나 랜드마크를 단지명에 붙이는 일이 횡행하고 있어서다. 이번 서반포 사례처럼 ‘선을 넘는’ 사례도 늘고 있다.대표적 예가 서울 양천구 목동 주변 단지다. ‘목동센트럴아이파크위브’ ‘신목동파라곤’은 단지명에 목동을 넣었지만 이곳의 행정동은 신월동이다. 단지명만 듣고서는 정확한 동네 위치를 파악하기 어렵다.성동구 행당동·금호동·응봉동 아파트 단지명에 붙은 ‘서울숲’도 마찬가지다. ‘서울숲삼부아파트’ ‘서울숲리버뷰자이’ 등은 왕십리역과 가까운 생활권이다. 서울숲과는 반경 1.3㎞ 떨어져 있고 그사이엔 중랑천이 가로막고 있다.경기 고양시 덕양구 향동동과 덕은동 단지는 서울 마포구 상암동 디지털미디어시티(DMC)와 반경 2
세계 최대 파운드리 업체 TSMC가 2026년 하반기부터 1.6나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 공정을 도입한다고 밝혔다. 초미세 공정 경쟁에서 삼성전자를 따돌리겠다는 의미다. 파운드리 업계의 최신 공정은 3나노다.TSMC는 25일 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 연 기술 콘퍼런스에서 “새로운 칩 제조 기술인 ‘A16’를 활용한 제품을 2026년 하반기부터 생산한다”고 발표했다. A16 기술은 1.6나노 공정을 의미한다. 앞서 TSMC는 내년 2나노 공정, 2027년 1.4나노 공정으로 양산하겠다는 계획을 밝혔다. 개발 속도로 보면 삼성전자와 똑같다. 두 회사는 지난해 3나노 양산에 성공했다. 2021년 파운드리 사업에 재진출한 인텔은 2~3나노를 건너뛰고 올해 말부터 1.8나노 공정에 착수한다고 밝혔다.1나노 공정 상용화를 앞두고 파운드리 3사는 치열한 주도권 싸움을 벌이고 있다. 인텔은 지난주 네덜란드 ASML의 차세대 노광장비(EUV)를 설치했다고 밝혔다. 이 장비는 2나노 이하 초미세 회로를 그리는 데 필수적인 장비다.삼성전자는 2나노가 TSMC와의 격차를 줄이는 터닝포인트가 될 것으로 기대하고 있다. 차세대 공정 기술로 꼽히는 게이트올어라운드(GAA)에서 앞서가고 있기 때문이다. 삼성전자는 3나노 공정부터 GAA 공법을 도입했다.경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장은 지난해 “삼성의 파운드리 기술력이 TSMC에 1~2년 뒤처져 있지만, TSMC가 2나노 공정에 들어오는 시점을 계기로 5년 내 앞설 수 있다”고 했다.박의명 기자