현대전자는 28일 첨단 차세대 반도체인 64메가D램시제품개발에 성공했다고
발표했다.

현대전자가 이번에 개발성공한 64메가D램은 2백12 의 칩속에 약7천만개의
트랜지스터와 6천7백만개의 캐패시터를 집적시켜 신문 5백12페이지분량의
정보를 기억할수 있는 용량을 가진 초고집적반도체로 알려지고 있다.

경기도 이천에 있는 현대전자 반도체연구소가 개발한 64메가D램은
초미세CMOS(상보성금속산화물반도체)가공기술을 채택하여 동작속도
50나노초의 초고속,3.3V의 저전압과 저소비전력(대기시 1 이하,동작시 70
이하)을 실현한 첨단제품이라는 것이다.

현대측은 이 개발품이 워크스테이션 대용량슈퍼컴퓨터 고성능통신기기
고선명TV(HDTV)및 항공우주분야등에서 이용될수 있는 차세대기억소자라고
덧붙였다.

현대전자는 지난해2월 16메가D램개발에 이어 1년5개월만에
64메가D램시제품을 개발한 것이라고 밝혔다. 그리고 오는 95년
초기시장진입을 위해 개발한 64메가D램의 제품성능,실리성및 집적도등을
더욱 높여 94년상반기께 칩사이즈 1백65 제품을 선보일 계획이라고 밝혔다

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