삼성전자가 D램과 S램의 장점을 고루지닌 메모리반도체
4메가슈도(Pseudo)S램을 개발했다.

28일 삼성은 4메가급 슈도(의사)S램이 0.17 의 디자인룰에 C로스공정을
활용,국산화한 메모리제품으로 정보처리속도가
80,1백,1백20나노초(1나노초는 10억분의1초)라고 밝혔다.

슈도S램의 구조(1트랜지스터및 1커패서티)에 재충전회로를 갖춘 반도체로
D램보다 사용하기쉽고 소용량시스템의 구성에 쓰인다. 가격은 D램보다
높고 S램보다 싸다.

삼성은 90년11월 1메가슈도S램을 개발한 기술력을 바탕으로 1년6개월동안
개발사업을 벌여 4메가급을 국산화했다. 이제품은 랩톱등 휴대용PC를 비롯
팩스모뎀 로보트 레이저프린터 산업용기기 오디오 TV 게임기 VTR등
대용량이면서 저소비전력이 요구되는 중규모 저속시스템의 주메모리로
활용되고 있다.

이번에 4메가급 슈도S램의 국산화로 전자업체등 수요처의 메모리제품
활용폭이 넓어지게 됐을뿐아니라 수입대체효과도 높이게 됐다. 슈도S램은
지난88년 일본에서 2백56킬로바이트급을 처음 개발한뒤 대용량제품개발로
이어져 4메가급이 몇몇업체에서 상용화되고 있다.

92년부터 본격적으로 시장에 선보이기 시작한 4메가슈도S램은
세계시장규모가 92년 4천만달러,93년 1억3천만달러,95년 2억1천만달러
규모에 이를 것으로 추산되고 있다.

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