일본전기가 세계초고속 1메가S램을 개발했다.
8일 외지에 따르면 일본전기는 정보판독시간이 20나노(1나노는
10억분의1)초인 1메가S램을 실용화, 이달중 샘플을 출하키로 했다.
일본전기가 개발한 신제품(모델명 미크로PD431001LE와 미크로PD
431004LE)은 고집적화에 맞춘 C모스(상보성금속산화막반도체)구조로
최소회로선폭이 0.8미크로(1미크로는 1천분의1mm)의 미세가공기술을
채용하고 있다.
일본전기는 올해 월1만개, 내년부터 7만~8만개를 생산할 예정이다.