금성사(대표 구자학)는 최근 선형 반도체 제조공정에 한층 고도화된 적용
기술을 도입하여 각종 바이폴라 리니어 IC의 고집적/고수율/고속도/저소비전
력의 특성을 향상시킨 새로운 바이폴라 리니어 IC제조공정기술을 국내 최초로
개발했다.
금성중앙연구소 전영권박사팀(반도체연구소)이 개발한 이 공정은 기존의 방
법과는 달리 개별소자간 격리를 위해 Up-Down Isolation을 적용하고 종래의
불순물 주입법인 확산공정이 이온 주입법으로 대체됨에 따라 열공정을 축소하
여 각 소자간의 수직/수평면의 폭을 줄여 Cell의 크기를 종래에 비해 36-50%
정도 감소시킬수 있게 되었다.
또한 이 공정은 Cell의 크기가 작아짐에 따라 내전압 특성이 감소되는 단점
을 보완하여 내전압 특성을 종전과 같이 15V정도로 유지하고 동작 주파수는
2배이상 향상된 1.5GHz까지 확장해 고속의 신호처리는 물론 노이즈도 대폭 제
거했으며 고집적화를 통해 다양한 기능을 수행하는 1칩화가 실현되어 세트 제
품 신뢰도 향상에도 크게 기여하게 되었다.

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