한국표준과학연구원의 정광화(鄭光和) 박사팀은 반도체 제조 플라즈마 공정에서 나노크기의 오염입자를 측정하는 기술을 세계 최초로 개발했다고 30일 밝혔다.

연구팀에 따르면 이 기술은 진공중의 입자가 높은 에너지의 레이저광과 충돌해가열되면 복사선을 내는 원리를 이용, 복사선의 세기로부터 오염입자의 농도를, 복사선의 상승 및 소멸시간으로부터 입자의 크기를 각각 측정하는 방식이다.

이 기술은 반도체 제조공정인 플라즈마 화학증착 공정이나 식각 공정에서 오염입자의 크기를 정량적으로 측정할 수 있어 공정개선 뿐만 아니라 차세대 반도체 공정과 나노소자 제작 공정에도 사용될 수 있다고 연구팀은 설명했다.

연구팀 관계자는 "이 기술은 과기부가 추진중인 진공기술 기반구축 사업의 일환으로 수행되고 있으며 진공부품의 국산화와 해외시장 개척에 큰 도움이 될 것"이라고 말했다.

(서울=연합뉴스) 정규득기자 wolf85@yonhapnews.co.kr

ⓒ 한경닷컴, 무단전재 및 재배포 금지