반도체 집적도를 최고 1만배까지 높일 수 있는 기술이 한.미 공동 연구팀에 의해 개발됐다.

서울대 물리학과 임지순(48) 교수팀과 미국 버클리 소재 캘리포니아대(U.C.Berkeley) 물리학과 마이클 S 퓨러 교수팀은 10나노미터 (nm) 크기의 세계 최소형 탄소나노튜브 트랜지스터를 제작하는데 성공했다고 21일 밝혔다.

임 교수팀은 이번 연구 결과를 과학전문지 ''사이언스''에 발표했다.

임 교수팀은 탄소나노튜브를 십자형으로 배열하면 탄소나노튜브가 겹치는 부분이 트랜지스터 기능을 한다는 것을 입증했으며 미국 연구팀은 이를 바탕으로 탄소나노튜브 트랜지스터를 제작했다.

탄소나노튜브는 탄소만으로 이루어진 대롱 모양의 신물질로 직경이 수 나노미터에 불과하다.

1나노미터는 10억분의 1m다.

임 교수팀은 두 개의 탄소나노튜브를 십자모양으로 서로 배열할 때 생기는 10평방나노미터 정도의 겹치는 부분이 완벽한 트랜지스터 성능을 발휘할 수 있다는 것을 실험으로 증명했다.

탄소나노튜브 트랜지스터의 산업화에 성공하면 현재 상용화된 최첨단 반도체인 2백56MD램보다 집적도가 1만배 높은 반도체를 만들 수 있게 된다.

이 칩을 이용하면 기존 슈퍼컴퓨터 크기를 시계 정도로 줄일 수 있을 것으로 기대되고 있다.

임 교수는 "실리콘과 금속을 이용한 현재의 반도체는 앞으로 10년안에 한계에 도달할 것"이라며 "탄소나토튜브는 아직 상용화가 어렵지만 실리콘 반도체의 뒤를 이을 수 있는 미래기술"이라고 말했다.

김경근 기자 choice@ked.co.kr