이스라엘 과학자들은 전도속도의 세계기록을 깬 초고순도의 갈륨비소
반도체 결정을 생성하는데 성공했다.

이스라엘의 와이즈만연구소 과학자들은 전자의 이동속도를 1초당
1천4백40만cm로 높인 초고순도의 반도체 결정을 배양함으로써 미국 벨연구소
가 8년전 수립한 1초당 1천1백70만cm의 기록을 깨고 세계신기록을 세웠다고
예루살렘포스트지가 최근 보도했다.

이 반도체 결정체의 순도는 갈륨비소 원자 50억개중 이질원자가 1개밖에
안될 정도로 높아 3백평방m의 대지위에 들어선 5층 높이의 아파트에 섞인
각설탕 1개에 비유될 수 있다고 이 신문은 전했다.

블라디미르 우만스키박사, 박사코스를 밟고 있는 라파엘 피치오토,
모르데하이헤이블룸교수 등 연구진은 와이즈만연구소의 브라운초미세연구센터
에서 이같은 개가를 올렸다.

이로써 초고순도 물질에서의 전자행동을 연구할 수 있는 길이 열렸으며 보다
빠르고 효율적인 전자장치 개발에 중요한 전기가 마련됐다.

연구진은 완전에 가까운 진공상태를 이용해 초순수 결정체를 만들어 냈다.

오랫동안 마이크로 전자업계의 왕위를 지켜온 실리콘은 특성이 월등한
갈륨비소에 점차 밀려나고 있다.

예를 들면 갈륨비소는 실리콘에 비해 전자의 통과속도가 빠르고 광선을
매우 효과적으로 흡수하기 때문에 셀방식 이동전화의 주요부품에 사용된다.

갈륨비소는 또 외계에서의 방사능 내성이 실리콘보다 뛰어나기 때문에
위성산업에서도 각광을 받고 있다.

(한국경제신문 1997년 9월 11일자).