[ 도쿄=이봉구특파원 ]

일본 NEC가 차세대 대용량 메모리반도체인 2백56메가D램 양산시기를 오는
99년 하반기이후로 당초계획보다 1년 연기한다.

NEC는 28일 반도체시황악화로 생산자회사인 NEC큐슈의 2백56메가D램
생산라인 도입시기를 오는 98년으로 늦추기로 함에 따라 라인 가동시기도
당초의 98년 하반기에서 1년이상 연기된다고 밝혔다.

NEC는 이와 함께 새라인의 설비내용 전환을 검토중인 것으로 알려졌다.

NEC는 당초 새라인에서 현재 실용화되고 있는 실리콘 웨이퍼중 크기가
가장 큰 직경 8인치웨이퍼를 생산할 계획이었으나 12인치웨이퍼로의 설비
전환을 검토하고 있다.

일본 반도체메이커중 처음으로 지난 봄부터 2백56메가D램 샘플출하를
개시한 NEC는 당초 내년부터 3년간 1천억엔~1천2백억엔을 투자, 회로선폭
0.25미크론의 미세가공능력을 갖는 새라인을 도입할 계획이었다.

NEC는 이에 앞서 미 캘리포니아주의 2백56메가D램 새공장의 착공시기를
연기한다고 발표했었다.

(한국경제신문 1996년 12월 30일자).